Mạch công suất chạy mosfet

-

Contents

Sơ vật dụng mạch khuếch đại hiệu suất 100W bởi MOSFET:Thiết kế mạch khuếch đại công suất MOSFET:Các ứng dụng của mạch khuếch đại năng suất 100w MOSFET:

Mạch khuếch đại hiệu suất 100W bằng MOSFET đã được thiết kế với để tạo nên công suất 100W nhằm truyền tải khoảng 8 Ohms. Mạch khuếch đại công suất được thiết kế với ở phía trên có ưu điểm là kết quả hơn cùng với ít phát triển thành dạng chéo cánh và méo hài tổng hơn.

Bạn đang xem: Mạch công suất chạy mosfet

nguyên tắc hoạt động:

Mạch này hoạt động theo nguyên lý khuếch đại hiệu suất nhiều tầng có tiền khuếch đại, trình tinh chỉnh và điều khiển và khuếch đại hiệu suất sử dụng MOSFET. Giai đoạn tiền khuếch tán được thực hiện bằng phương pháp sử dụng cỗ khuếch đại vi sai, tầng trình điều khiển là cỗ khuếch đại vi sai với sở hữu gương hiện tại và khuếch đại hiệu suất được thực hiện bằng cách sử dụng vận động MOSFET lớp AB. MOSFET có ích thế hơn BJT là bao gồm mạch truyền động solo giản, ít bị mất ổn định nhiệt và gồm trở kháng đầu vào cao. Một bộ tiền khuếch đại gồm 1 mạch khuếch tán vi sai hai tầng được thực hiện để tạo ra tín hiệu khuếch đại không tồn tại tạp âm. Tầng trước tiên của bộ tiền khuếch đại bao hàm bộ khuếch đại kết hợp bộ phát cơ chế vi sai áp dụng bóng chào bán dẫn PNP. Giai đoạn đồ vật hai bao gồm một bộ khuếch đại vi không nên với download hoạt động, để tăng độ lợi năng lượng điện áp. Mạch gương lúc này thực sự bảo đảm an toàn dòng điện áp ra output không đổi bất cứ sự biến hóa của năng lượng điện áp biểu thị đầu vào. Tín hiệu khuếch đại này sau đó được mang lại tầng khuếch tán kéo đẩy, tạo thành tín hiệu đầu ra hiệu suất cao.

Sơ đồ gia dụng mạch khuếch đại hiệu suất 100W bởi MOSFET:

*

Các linh phụ kiện của mạch:
R1, R4: 4k ohms R2: 100 ohms R3: 50k ohms R5: 1k ohms R6: 50k ohms R7: 10k ohms R8, R9: 100 ohms R10, R13: 470 ohms R11: 100 ohms R12: 3k ohms R14, R15: 0,33 ohms C1: 10uF C2, C3: 18pF C4: 100nF Q1, Q2: bóng bán dẫn BC556, PNP Q3, Q4: MJE340, bóng chào bán dẫn NPN Q5, Q6: MJE350, bóng chào bán dẫn PNP Q7: n kênh E-MOSFET, IRF530 Q8: kênh phường E-MOSFET, IRF9530 V1, V2: +/- 50 V. xây cất mạch khuếch đại hiệu suất MOSFET: 1 st Stage Differential Amplifier Thiết kế: Lựa chọn điện trở phát: Để bao gồm bộ khuếch đại vi sai hiệu quả, phần trăm loại bỏ chế độ chung vày R3 / R2 đưa ra buộc phải cao hơn. Điều này đòi hỏi giá trị của R2 bắt buộc thấp hơn các so cùng với R3. Ở đây chúng tôi chọn 1 chiết áp 100 ohm là R2 cùng điện trở 50k là R3. Lựa chọn điện trở thu: Đối cùng với độ lợi chênh lệch khoảng chừng 50 với điện trở cỗ phát khoảng chừng 100 Ohms, quý hiếm của R1 với R4 được tính là khoảng tầm 4k. Lựa lựa chọn tụ điện ghép nối: Ở đây bọn chúng tôi lựa chọn 1 tụ năng lượng điện 10uF nhằm ghép nối tín hiệu đầu vào AC với đầu vào của Q1. 2 nd Stage Differential Amplifier Thiết kế: Lựa lựa chọn R11: Đối cùng với tổng mẫu phát khoảng tầm 0,5A, cực hiếm của điện trở phát được chọn là khoảng chừng 100 ohms. Lựa lựa chọn R12: giá trị của phân tách áp R12 được khẳng định bởi điện áp ngưỡng Cổng của MOSFET và cái tĩnh chạy qua cỗ thu Q4, khoảng chừng 50mA. Điều này mang đến cho R12 khoảng 3k. Tương tự, cực hiếm của R7 được xem như là khoảng 10k. Lựa lựa chọn tải: Ở đây cỗ khuếch đại vi không nên được liên kết với mua hoạt động, là một trong những mạch gương dòng điện. Ở đây chúng tôi chọn bóng cung cấp dẫn PNP MJE350 với điện trở phát 100 ôm từng bóng. Các năng lượng điện trở vạc được chọn để giảm điện áp khoảng tầm 100mV trên bọn chúng để bảo đảm an toàn sự cân xứng tốt của những bóng buôn bán dẫn. xây cất giai đoạn đầu ra của cục khuếch đại công suất:

Ở đây shop chúng tôi chọn MOSFET IRF530 kênh N với MOSFET IRF9530 kênh phường làm cỗ khuếch đại công suất. Đối với công suất 100w và cài 8 ôm, điện áp cổng output yêu cầu là khoảng tầm 40V và cái điện cổng output là khoảng tầm 5A. Điều này đến giá trị của điện trở nguồn vào tầm khoảng 0,33 ohms và mẫu điện do mỗi MOSFET vẽ vào mức 1,6A (điện áp cổng output / (pi nhân với năng lượng điện trở tải)).

hoạt động của mạch khuếch đại năng suất 100W MOSFET:

Các bóng phân phối dẫn PNP tạo thành mạch khuếch tán vi sai trong các số ấy một trong những bóng bán dẫn nhận biểu lộ AC nguồn vào và bóng bán dẫn còn lại nhận biểu đạt đầu ra trải qua phản hồi. Tín hiệu AC được ghép với gốc của Q1 trải qua tụ ghép và biểu đạt phản hồi được mang đến gốc của Q2 trải qua R5 với R6. Đầu ra của bộ khuếch đại được thiết lập bằng phương pháp điều chỉnh tách áp. Đầu ra từ bộ khuếch đại vi không nên giai đoạn trước tiên được mang đến đầu vào của cục khuếch đại vi sai quá trình hai. Khi điện áp đầu vào to hơn điện áp ý kiến (trong ngôi trường hợp của cục khuếch đại vi sai vật dụng nhất), thì năng lượng điện áp đầu vào những bóng bán dẫn quận 3 và q.4 của cỗ khuếch đại vi sai đồ vật hai đồng thời khác nhau. Các bóng bán dẫn q.5 và q6 tạo thành mạch gương hiện tại tại.

Xem thêm: Điện Thoại Obi Worldphone Sf1 Chính Hãng, Trả Góp, Điện Thoại Obi Worldphone Sf1 Chính Hãng

Điều này đạt được là do khi dòng thu của quận 3 tăng, cái góp của quận 4 giảm để duy trì dòng năng lượng điện không đổi chạy qua điểm chung của những cực phát của q.3 và Q4.

Ngoài ra mạch gương hiện tại tại tạo ra một dòng điện đầu ra output bằng dòng điện góp của Q3. Chiết áp R12 đảm bảo an toàn áp dụng xu thế DC thích hợp hợp cho mỗi MOSFET. Vì nhì MOSFET bổ sung cho nhau, khi một điện áp dương được đặt vào cổng Q7, nó vẫn dẫn. Tương tự đối với điện áp ngưỡng âm, quận 8 dẫn. Các điện trở cổng được thực hiện để ngăn áp sạc ra MOSFET dao động.

Đầu vào của mạch được cung ứng bởi một năng lượng điện áp nguồn vào xoay chiều 1khz của 4Vp-p. Máy hiện tại sóng được kết nối làm thế nào để cho kênh A được kết nối với nguồn vào và kênh B được kết nối với đầu ra. Công suất ở mua được quan lại sát bằng phương pháp kết nối watt kế cùng với tải.

những ứng dụng của mạch khuếch đại hiệu suất 100w MOSFET: Nó rất có thể được thực hiện để tinh chỉnh và điều khiển tải music như loa, như một cỗ khuếch đại âm thanh. Nó có thể được thực hiện để tinh chỉnh và điều khiển tải RF như ăng ten năng suất cao. Nó hoàn toàn có thể được thực hiện để triển khai hệ thống loa phân tán Mạch này có thể được sử dụng trong số thiết bị điện tử như tivi, thiết bị tính, đồ vật nghe nhạc mp3, v.v. tinh giảm của mạch này: MOSFET dễ bị phóng điện hơn. MOSFET lấy loại điện khá cao từ nguồn cung cấp, rất có thể làm hư toàn mạch, trừ khi áp dụng cầu chì an toàn. Mạch này dễ bị dao động tần số cao. Mạch này là mạch triết lý và dành cho mục đích giáo dục.